介電常數(shù)測(cè)試儀使用方法

　　滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

　　Meet the standards: GBT 1409-2006 measurement of electrical insulating materials at power, audio, high-frequency (including wavelength, VHF) recommended methods of permittivity and dielectric loss factor

　　我公司生產(chǎn)的有以下幾款：

　　介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀-高頻

　　介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀-工頻

　　介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀-高低頻

　　專門測(cè)液體介電常數(shù)的設(shè)備

　　適合不同材料和頻率段的測(cè)試，歡迎來(lái)電咨詢

　　1、TSK-TEST介電常數(shù)測(cè)試儀裝置圖示：

　　1.1 圓筒電容器。

　　1.2 平板電容器。

　　1.3圓筒測(cè)微桿。

　　1.4平板測(cè)微桿。

　　1.5圓筒測(cè)微頭。

　　2、被測(cè)樣品的準(zhǔn)備：

　　被測(cè)樣品要求為圓形，直徑38~42 mm配TSK-TEST介電常數(shù)測(cè)試儀。這是減小因樣品邊緣泄漏和邊緣電場(chǎng)引起的誤差的有效辦法。樣品厚度可在1~5mm之間，如太薄或太厚則測(cè)試精度就會(huì)下降，樣品要盡可能平直。

　　注意：在操作中要十分注意樣品的清潔，要戴手套或用鑷子取放樣品。

　　下面推薦一種能提高測(cè)試性能的方法：準(zhǔn)備二片厚0.05mm的圓形錫膜。直徑和平板電容器極片一致，錫膜兩面均勻地涂上一層薄薄的凡士林，它起粘附作用，又能排除接觸面之間殘余空氣。把錫膜再粘在平板電容器兩個(gè)極片上，粘好后，極片呈鏡面狀為佳。然后，放上被測(cè)樣品。

　　3、介電常數(shù)測(cè)試儀測(cè)試前準(zhǔn)備：

　　先要詳細(xì)了解本裝置配用Q表的使用方法，操作時(shí)，要避免人體感應(yīng)的影響，即調(diào)節(jié)本裝置時(shí)，手臂盡可能離開本裝置。

　　試樣電容近似于△C，即是可變電容器電容的變化量。

　　測(cè)量誤差主要來(lái)自二次指示器的標(biāo)定刻度，以及在連線中尤其是在可變電容器和試樣的連線中所引入的阻抗。

　　3.1 檢查Q表是否正常工作

　　a) 將250-100μH電感器(一般先用250μH)，接在Q表“Lx”接線柱上。

　　b) 頻率調(diào)*1MHz。

　　c) 微調(diào)電容器置于“0pF”處(ZJD-B無(wú)微調(diào)電容)，調(diào)節(jié)主調(diào)電容器，使其諧振，Q值應(yīng)指示在160左右，調(diào)諧電容值刻度在100pF附近，表示Q表處于正常工作狀態(tài)。

　　4、國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006，推薦Q表法測(cè)試絕緣材料的介質(zhì)損耗因數(shù)和介電常數(shù)程序：

　　4.1 先完成4.3規(guī)定的測(cè)試前準(zhǔn)備基礎(chǔ)上進(jìn)行正常測(cè)試。

　　4.2 把本測(cè)試裝置ZJD-B插到Q表測(cè)試回路的“Cx”二個(gè)端子上(如下圖)。把圓筒電容器置于12.5mm處，平板電容器置于3 mm處。

　　4.3 把被測(cè)樣品放置于二極片之間，到二極片夾住樣品止。

　　4.4 調(diào)節(jié)Q表的調(diào)諧電容器，使其諧振，此時(shí)讀取Q值記為Qt，調(diào)諧電容的刻度記為Ct。

　　4.5 松開平板電容器極片，取出被測(cè)樣品，但平板電容器仍在置于有樣品時(shí)的刻度處，保持極片距離和有樣品時(shí)一致。

　　4.6 再次調(diào)節(jié)Q表的調(diào)諧電容器，再次諧振，此時(shí)讀取的Q值為Qo(Qo總是比Qt高，對(duì)上等絕緣材料，二者較接近，要仔細(xì)調(diào)諧,并要利用Q表的Q記憶功能，得到正確的Q值)。調(diào)諧電容的刻度記為C0(C0總是比Ct大)對(duì)低介電常數(shù)材料，電容變化值(ΔC)較小，可考慮使用Q表的ΔC調(diào)節(jié)旋鈕或用ZH914,ZH915測(cè)試裝置上圓筒電容器的讀數(shù)變化換算成ΔC，以提高測(cè)試精度。

　　4.7試樣的損耗因數(shù)計(jì)算公式為：

　　C0：電路中的總電容，包括電壓表以及電感線圈本身的電容，一般以無(wú)試樣時(shí)，Q表諧振電容值為C0(即Q表調(diào)諧電容指示值)。

　　△C：是移除試樣后再諧振時(shí)電容值(C0)與有樣品時(shí)調(diào)諧電容值(C0)之差，即：△C= C0- Ct(有試樣時(shí)測(cè)得電容值)

　　Cp：極片空氣介質(zhì)結(jié)構(gòu)電容，Cp= r 2 /3.6d ,式中r為測(cè)試夾具平板電極的半經(jīng)，對(duì)ZJD-B而言r =1.9。所以當(dāng)用厚度(d)為2mm樣品測(cè)試時(shí)，用ZJD-B測(cè)Cp=5pF。同樣可以查看附圖1板間隙曲線得到Cp值。

　　Qt：有試樣時(shí)測(cè)得Q值。 Qo：無(wú)試樣時(shí)測(cè)得Q值。

　　5、另一種介質(zhì)損耗因數(shù)和介電常數(shù)測(cè)試儀 方法(變電納法)：

　　5.1調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿，使二極片相接為止，讀取刻度值記為D0。這時(shí)測(cè)微桿應(yīng)處在0mm處附近。

　　5.2再松開二極片，把被測(cè)樣品插入二極片之間，調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿，到二極片夾住樣品止。這時(shí)能讀取新的刻度值，記為D1，這時(shí)樣品厚度D2=D1-D0。

　　5.3把圓筒電容器置于10mm處。

　　5.4設(shè)置Q表的測(cè)試頻率，例如1MHz，調(diào)節(jié)Q表調(diào)諧電容，使之諧振，讀得Q值。

　　5.5 先順時(shí)針?lè)较?，后逆時(shí)針?lè)较?，調(diào)節(jié)圓筒電容器，讀取當(dāng)Q表指示Q值為原值的一半時(shí)測(cè)微桿上二個(gè)刻度值，取這二個(gè)值之差，記為M1。舉例：諧振時(shí)Q值為200，先順時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)，Q值下降呈100時(shí)，圓筒刻度計(jì)為8mm，再逆時(shí)針轉(zhuǎn)*再次出現(xiàn)Q值降*100時(shí)，刻度計(jì)為11mm，測(cè)二值之差M1=3。

　　5.6再調(diào)節(jié)圓筒電容器，使Q表再次諧振。即圓筒電容器重新回到10mm處。

　　5.7取出平板電容器中的樣品，這時(shí)Q表又失諧，調(diào)節(jié)平板電容器，使再諧振，讀取測(cè)微桿上的讀值D3，其變化值為D4=D3-D0。

　　5.8 和4.5款操作一樣，得到新的二個(gè)值之差，記為M2，M2總比M1小。

　　5.9 計(jì)算測(cè)試結(jié)果：

　　被測(cè)樣品的介電常數(shù)：

　　∑=D2/D4

　　被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗因數(shù)：

　　tanδ=K(M1-M2)/2Cp

　　式中：K為圓筒電容器線性變化率，應(yīng)為0.33/mm。

　　一般按以上公式計(jì)算的結(jié)果，其精度和重復(fù)性是能滿足的。但對(duì)介電常數(shù)大的被測(cè)樣品(即樣品從平板樣品放入和取出平板電容器刻度值變化較大)，邊緣效應(yīng)電容對(duì)測(cè)試會(huì)有較顯著的影響。這時(shí)可按下列公式計(jì)算：

　　∑=(C2+CF2-CF)/C1

　　tanδ=K(M1-M2)/3.46(C2+CF2-CF1)

　　式中：C1=D1刻度時(shí)平板電容器空氣介質(zhì)電容量(見附圖一)

　　C2=D3刻度時(shí)平板電容器空氣介質(zhì)電容量(見附圖一)

　　CF1=D1刻度時(shí)的邊緣效應(yīng)電容量(見附圖二)

　　CF2=D3刻度時(shí)的邊緣效應(yīng)電容量(見附圖二)