介電常數(shù)測(cè)試儀簡(jiǎn)介：

　　微波(高頻)介電常數(shù)測(cè)試儀, 利用微波技術(shù)結(jié)合高Q腔以及3D電磁場(chǎng)模擬技術(shù)，采用德國(guó)CST公司的3D電磁類比軟件MW-StudioTM，測(cè)量材料的高頻介電常數(shù)，此方法保證了介電常數(shù)測(cè)量結(jié)果的精確性。

　　AET公司開發(fā)了二種共振腔：空洞共振腔和開放式同軸共振腔用于測(cè)試環(huán)境腔。

　　介電常數(shù)測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：

　　頻率范圍：1G~20GHz

　　同軸共振腔：

　　介電常數(shù)Epsilon：1~15，準(zhǔn)確度：+/-1%，

　　介電損耗tangent delta：0.05~0.0001，準(zhǔn)確度：+/-5%

　　介電常數(shù)測(cè)試儀主要特點(diǎn)：

　　空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。

　　印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。

　　針對(duì)CCL/印刷電路板設(shè)計(jì)空洞共振腔測(cè)試裝置,只需裁成小長(zhǎng)條狀即可量測(cè)精確的復(fù)介電常數(shù)(Dk), 尤其是低損耗(Df)的樣品, 測(cè)量值非常精準(zhǔn)。

　　用于介電常數(shù)測(cè)試儀，介電常數(shù)分析，介電損耗測(cè)試，高頻介電常數(shù)測(cè)量。