1、電磁式全絕緣電壓互感器

　　1.1 試驗接線

　　可以采用將一次繞組短路加壓，各二次繞組均短路，接西林電橋Cx點的正接法來測量tanδ及電容值;也可以采用對電橋的E點加壓，將一次繞組短路，接QS1電橋的Cx點，其各二次繞組均短路直接接地的反接法。

　　1.2 判斷和標準

　　電磁式電壓互感器在交接試驗時，35kV油浸式的tanδ(%)可參照DL/T 596規(guī)定判斷。35kV以上的，在試驗電壓為10kV時，按制造廠試驗方法測得的tanδ值不應大于出廠試驗值的130%。

　　運行中電磁式電壓互感器的tanδ(%)值按DL/T 596規(guī)定判斷。

　　2、串級式電壓互感器

　　2.1 繞組結構

　　圖1-1為220kV串級式電壓互感器的繞組及結構布置圖。一次繞組分成4段，繞在兩個鐵芯上;兩個鐵芯被支撐在絕緣支架上，鐵芯對地分別處于3/4和1/4的工作電壓，一次繞組zui末一個靜電屏(共有4個靜電屏)與末端“X”相連接，“X”點運行中直接接地。末電屏外是二次繞組ax和剩余二次繞組aDxD“X”與ax繞組運行中的電位差僅100/√3V，它們之間的電容量約占整體電容量的80%。110kV級的繞組及結構布置與220kV級類似，一次繞組共分2段，只有一個鐵芯，鐵芯對地電壓為1/2的工作電壓。

　　圖1-1 220kV串級式電壓互感器原理接線圖

　　1——靜電屏蔽層;2——一次繞組(高壓);3——鐵芯;4——平衡繞組

　　5——連耦繞組;6——二次繞組;7——剩余二次繞組;8——支架

　　2.2 試驗方法和接線

　　測量串級式電壓互感器tanδ和電容的主要方法有：末端加壓法、末端屏蔽法、常規(guī)試驗法和自激法。末端加壓法采用較廣，它的優(yōu)點是電壓互感器A點接地，抗電場干擾能力較強，不足之處是存在二次端子板的影響，且不能測絕緣支架的tanδ值;末端屏蔽法“X”接屏蔽能排除端子板的影響，能測出絕緣支架的tanδ值。電壓互感器的預防性試驗規(guī)定，必須增加對絕緣支架的介質損失值的測試項目，因此DL/T 596建議采用末端屏蔽法試驗。自激法抗干擾力差，一般較少采用。

　　a) 試驗接線和方法如圖1-2～圖1-6和表1-1所示。

　　圖1-2 末端加壓法測量接線

　　AX——高壓繞組端子;ax——二次繞組端子;aDxD——剩余二次繞組端子;Cx——電容電橋端子

　　E——電橋接地端子;R4——電橋固定電阻;C4——電橋可調電容;Cn——標準電容;R3——電橋可調電阻

　　圖1-3 末端加壓法測量對剩余二次繞組端部tanδ的接線

　　AX——高壓繞組端子;ax——二次繞組端子;aDxD——剩余二次繞組端子;Cx——電容電橋端子

　　E——電橋接地端子;R4——電橋固定電阻;C4——電橋可調電容;Cn——標準電容;R3——電橋可調電阻

　　圖1-4 末端屏蔽法：電壓互感器底座接地測量一次對二次繞組的試驗接線(測出Ca及tanδa)

　　AX——高壓繞組端子;ax——二次繞組端子;aDxD——剩余二次繞組端子;Cx——電容電橋端子

　　E——電橋接地端子;R4——電橋固定電阻;C4——電橋可調電容;Cn——標準電容;R3——電橋可調電阻

　　圖1-5 末端屏蔽法：電壓互感器底座對地絕緣測量一次對支架與二次繞組并聯(lián)的試驗接線(測出Cb及tanδb)

　　AX——高壓繞組端子;ax——二次繞組端子;aDxD——剩余二次繞組端子;Cx——電容電橋端子

　　E——電橋接地端子;R4——電橋固定電阻;C4——電橋可調電容;Cn——標準電容;R3——電橋可調電阻

　　圖1-6 末端屏蔽法直接測量支架tanδ接線

　　AX——高壓繞組端子;ax——二次繞組端子;aDxD——剩余二次繞組端子;Cx——電容電橋端子

　　E——電橋接地端子;R4——電橋固定電阻;C4——電橋可調電容;Cn——標準電容;R3——電橋可調電阻

　　圖1-7 常規(guī)法(反接線)接線

　　AX——高壓繞組端子;ax——二次繞組端子;aDxD——剩余二次繞組端子;Cx——電容電橋端子

　　E——電橋接地端子;R4——電橋固定電阻;C4——電橋可調電容;Cn——標準電容;R3——電橋可調電阻

　　表1-1 測量電壓互感器tanδ和電容的接線方法

　　b) 絕緣支架tanδ和電容的測量。由于支架的電容量很小(一般為10pF～25pF)，因此按圖1-6直接法測量的靈敏度很低，在強電場干擾下往往不易測準，建議使用間接法，按圖1-4和圖1-5兩次測量后，用式(1)計算出絕緣支架的電容Cc和介質損耗因數(shù)tanδc，即：

　　Cc=Cb﹣Ca

　　tanδc=(Cbtanδb﹣Catanδa)/(Cb﹣Ca) (1)

　　式中：

　　Ca及tanδa——按圖1-4接線測量的一次對二次繞組的電容及介損值;

　　Cb及tanδb——按圖1-5接線測量的一次對支架與二次繞組并聯(lián)的電容及介損值。

　　按圖1-6測量時，為便于電橋平衡，需要在R4上再并接適當電阻，通常，取外并電阻后R1=R4/n(n=1、2、3、…、9)。此時，被試的tanδ值等于C4的微法值除以n，即tanδ=C4/n。

　　2.3 試驗標準

　　串級式(分級絕緣)電壓互感器20℃時的tanδ值應不大于表1-2中數(shù)值。

　　表1-2 串級式(分級絕緣)電壓互感器測量tanδ的試驗標準